Name: Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3529DV-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3

Artikelnummer:

SI3529DV-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3529DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3529DV-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.2A, 10V
Leistung - max	1.4W
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A, 1.95A
Konfiguration	N and P-Channel
Grundproduktnummer	SI3529
SI3529DV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI3529DV-T1-E3 PDF - EN.pdf

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